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	gan system
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        gan system 文章
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        基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項
        
                                                            
          
                    	
        • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯(lián)起來。混合串式逆變器包含以下子塊：●? ?用于執(zhí)行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉換器。電池可在夜間或停電
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        • 關鍵字：
                        德州儀器  GaN FET  單相串式逆變器  微型逆變器  儲能系統(tǒng)                          
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        英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進展
        
                                                            
          
                    	
        • 隨著對 GaN 半導體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 制造正在按計劃進行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準備來擴大其客戶群并鞏固其作為領先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領導者，該公司掌握了所有三種相關材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  300毫米  GaN  制造路線圖                          
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        GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出
        
                                                            
          
                    	
        • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據《科創(chuàng)板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導體器件結構相對簡單，不會對代工服務產生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通常看到的
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        • 關鍵字：
                        GaN  代工模型  Innoscience  臺積電                          
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        瑞薩電子推出用于AI數據中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
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        • 關鍵字：
                        瑞薩電子  AI數據中心  工業(yè)  電源系統(tǒng)  GaN FET                          
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        臺積電退出后英飛凌加快GaN推進 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品
        
                                                            
          
                    	
        • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據《商業(yè)時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結束其 GaN 晶圓代工服務，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關鍵驅動因素。Liberty Times 補充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其 
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        • 關鍵字：
                        臺積電  英飛凌  GaN  300毫米  晶圓樣品                          
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        650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)
        
                                                            
          
                    	
        • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數提高了 50%，而輸出品質因數提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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        • 關鍵字：
                        650V  GaN  器件  高功率應用  SiC                          
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        臺積電無預警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單
        
                                                            
          
                    	
        • 國際功率半導體廠納微半導體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務，擬向力積電尋求產能支持。 對此，臺積電回應表示，經過完整評估后，決定在未來兩年內逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價值; 而該項決定將不會影響之前公布的財務目標。業(yè)界認為，臺積電此舉凸顯中國
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        • 關鍵字：
                        臺積電  納微半導體  GaN                          
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        瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力
        
                                                            
          
                    	
        • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和T
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        • 關鍵字：
                        瑞薩  GaN FET  SuperGaN                          
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        GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統(tǒng)而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63 
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        • 關鍵字：
                        GaN FET  衛(wèi)星電源                          
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        Wise計劃將GaN和數字控制器封裝在一起
        
                                                            
          
                    	
        • 法國電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計劃推出一種帶有氮化鎵 （GaN） 晶體管的聯(lián)合封裝數字控制器，以簡化工業(yè)和數據中心 AI 電源系統(tǒng)的設計。與此同時，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 （PFC） 的數字控制器。零電壓開關 （ZVS） 開關算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實現，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達 2MHz 的開關，適用于更小的設計，效率高達 98%。“對于公司來說，將這款數字控制器推向市場是一個重要
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        • 關鍵字：
                        Wise  GaN  數字控制器                          
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        采用3D芯片設計的更快、更節(jié)能的電子設備
        
                                                            
          
                    	
        • 麻省理工學院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術能夠降低整個系統(tǒng)的溫度。研究人員使用這種
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        • 關鍵字：
                        3D芯片  電子設備  GaN                          
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        探索TI GaN FET在類人機器人中的應用
        
                                                            
          
                    	
        • 類人機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
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        • 關鍵字：
                        TI  GaN  FET  類人機器人                          
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        如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術
        
                                                            
          
                    	
        • 本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
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        • 關鍵字：
                        開關電源  SMPS  氮化鎵  GaN  ADI                          
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        納芯微高壓半橋驅動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
        
                                                            
          
                    	
        • 納芯微發(fā)布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數據中心電源、微型逆變器、車載充電機(OBC)等高壓大功率領域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實際應用中仍面臨諸多
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        • 關鍵字：
                        納芯微  高壓半橋驅動  E-mode GaN                          
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        GaN，助力6G
        
                                                            
          
                    	
        • 新的基于 GaN 的架構將使海量數據的通信和傳輸變得更加容易。
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        • 關鍵字：
                        GaN                          
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